单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V45 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）2A（Ta）5.3A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 12A，10V180mOhm @ 2A，4.V8 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA3.5V @ 12µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 4.5 V10.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.2 pF @ 3 V200 pF @ 10 V810 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）700mW（Ta）29W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1TSMT3VESM
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-96SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
64,715
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.27701
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
-
8 欧姆 @ 50mA，4V
-
-
-
12.2 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
TSMT3
RQ5H020TNTL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
3,250
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.75028
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
180mOhm @ 2A，4.V
1.5V @ 1mA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
PG-TDSON-8-1
BSC440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Infineon Technologies
7,313
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.47501
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.3A（Ta），18A（Tc）
6V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3.5V @ 12µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
810 pF @ 50 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。