单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
SIPMOS®TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V80 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）2.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V2.5V，4V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
270 毫欧 @ 1.2A，10V3.6 欧姆 @ 10mA，4V14 欧姆 @ 100µA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 56µA1.5V @ 100µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 5 V17 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V76 pF @ 25 V500 pF @ 40 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）360mW（Ta）760mW（Ta），2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23SOT-23-3（TO-236）VESM
封装/外壳
SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
63,579
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.32768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
111,883
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25359
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
100mA（Ta）
0V，10V
14 欧姆 @ 100µA，10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,255
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.2A（Tc）
6V，10V
270 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 40 V
-
760mW（Ta），2.5W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。