单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerMESH™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V200 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）8A（Tc）52A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 25A，10V22 毫欧 @ 52A，10V185 毫欧 @ 2.4A，10V2.5 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA4V @ 137µA4V @ 1mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.3 nC @ 10 V43 nC @ 10 V89.3 nC @ 10 V625 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
492 pF @ 25 V3255 pF @ 25 V3680 pF @ 100 V22000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）214W（Tc）320W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TSON-8-3PowerPAK® SO-8SOT-223（TO-261）TO-247-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-247-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223 (TO-261)
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
onsemi
17,006
现货
51,000
工厂
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.07692
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
10V
185 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
10,819
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.76949
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,286
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04784
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 HiP
STW9N150
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
STMicroelectronics
62
现货
1 : ¥74.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
8A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
89.3 nC @ 10 V
±30V
3255 pF @ 25 V
-
320W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。