单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Ta)16A(Tc)31A(Ta),164A(Tc)36A(Tc)38A(Ta)287A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 50A,10V2.4 毫欧 @ 50A,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V12.8 毫欧 @ 11A, 10V25 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 135µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.5 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V52 nC @ 10 V100 nC @ 10 V115 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1025 pF @ 15 V3400 pF @ 25 V3600 pF @ 25 V6300 pF @ 30 V8900 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta)3.9W(Ta),113W(Tc)3.9W(Ta),200W(Tc)41W(Tc)68W(Tc)200W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-LFPAK8-SOPPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-1205,8-LFPAK56
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
1,221
现货
108,000
工厂
1 : ¥48.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥24.96454
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
287A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ457EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,553
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.21217
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C604NLT1G
MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN
onsemi
11,106
现货
24,000
工厂
1 : ¥25.70000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.29107
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,739
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91420
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
41W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOIC
RS3L110ATTB1
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
2,224
现货
1 : ¥26.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.84465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
11A(Ta)
4.5V,10V
12.8 毫欧 @ 11A, 10V
2.5V @ 1mA
115 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 30 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
LFPAK8
NVMJS2D5N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.50665
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
31A(Ta),164A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 135µA
52 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
3.9W(Ta),113W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-LFPAK
SOT-1205,8-LFPAK56
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
0
现货
5,000 : ¥20.96168
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
287A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
显示
/ 7

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。