单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）115mA（Tc）130mA（Ta）170mA（Ta）24A（Ta），123A（Tc）46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 16A，10V17.3 毫欧 @ 10A，10V6 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 10mA，4V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA1.7V @ 250µA2V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V20 pF @ 25 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V3640 pF @ 15 V5900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）225mW（Ta）3.1W（Ta），83W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）EMT3PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
270,291
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,846
现货
7,722,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
2N7002LT7G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
43,032
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,500 : ¥0.33719
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2SA2018TL
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Rohm Semiconductor
20,114
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52948
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3
SC-75，SOT-416
PowerPak® SO-8
SQJA81EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,874
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.97451
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
46A（Tc）
4.5V，10V
17.3 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
CSD17581Q5AT
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON
Texas Instruments
2,188
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
250 : ¥3.64944
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta），123A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 16A，10V
1.7V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3640 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。