单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®STripFET™ F7TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）2.7A（Ta），9A（Tc）4.3A（Ta）5.2A（Ta），14.2A（Tc）11A（Ta），68A（Tc）18A（Tc）27A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 27A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V24 毫欧 @ 9A，10V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V54 毫欧 @ 4A，10V160毫欧 @ 2.4A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 70µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V19 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V24 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V550 pF @ 50 V907 pF @ 10 V1140 pF @ 40 V1360 pF @ 75 V1450 pF @ 50 V5795 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1.25W（Ta）2.3W（Ta），40W（Tc）2.3W（Ta），54W（Tc）3.2W（Ta），107W（Tc）3.2W（Ta），24W（Tc）72W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-WDFN（3.3x3.3）Power33PowerFlat™（5x6）PowerPAK® 1212-8SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
192,216
现货
58,302,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Vishay Siliconix
16,866
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.99454
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.2A（Ta），14.2A（Tc）
7.5V，10V
54 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-MLP, Power33
FDMC86261P
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
onsemi
9,022
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.55077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.7A（Ta），9A（Tc）
6V，10V
160毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1360 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
Power33
FDMC8360L
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
onsemi
5,536
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.61610
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 27A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5795 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS6H850NTAG
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
onsemi
2,836
现货
1 : ¥8.13000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.58292
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），68A（Tc）
10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 70µA
19 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8 PowerVDFN
STL45N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,765
现货
1 : ¥13.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.39212
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
10V
24 毫欧 @ 9A，10V
4.5V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 50 V
-
72W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
38,335
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
1V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±8V
907 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。