单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）600mA（Ta）3.8A（Ta）4.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 2A，4.5V80 毫欧 @ 2A，10V300 毫欧 @ 600mA，4.5V680 毫欧 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
47 pF @ 30 V60 pF @ 10 V118 pF @ 10 V270 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）625mW（Ta）830mW1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SC-89-3SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3424
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
46,453
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80150
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
2.5V，10V
80 毫欧 @ 2A，10V
1.8V @ 250µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SBA120CS-AUR1A1XXX
BSS138BKAHZGT116
NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Rohm Semiconductor
6,352
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
2.5V，10V
680 毫欧 @ 400mA，10V
2V @ 10µA
-
±20V
47 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2070UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
66
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86444
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Tc）
1.8V，4.5V
44 毫欧 @ 2A，4.5V
950mV @ 250µA
8.2 nC @ 8 V
±8V
118 pF @ 10 V
-
830mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerTrench Series SC-89-3
FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77862
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
300 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。