单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
CoolMOS™CoolMOS™ P6OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V40 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.1A（Tc）16.8A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）50A（Tc）70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 30A，10V4.1 毫欧 @ 70A，10V6 毫欧 @ 30A，10V230 毫欧 @ 6.4A，10V400毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3.5V @ 320µA4V @ 45µA4.5V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V26 nC @ 10 V31 nC @ 10 V39 nC @ 10 V56 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
710 pF @ 100 V1450 pF @ 100 V1700 pF @ 15 V2400 pF @ 15 V4500 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），48W（Tc）31W（Tc）33W（Tc）35W（Tc）56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PG-TO220-FPPG-TO252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
8,393
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.55723
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1,285
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05598
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO-220-FP
IPA041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP
Infineon Technologies
123
现货
1 : ¥11.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
70A（Tc）
10V
4.1 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 45µA
56 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 20 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
232
现货
1 : ¥12.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
15.1A（Tc）
10V
400毫欧 @ 3.2A，10V
3.5V @ 320µA
39 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 100 V
-
31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
PG-TO-220-FP
IPA60R230P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
Infineon Technologies
62
现货
1 : ¥23.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16.8A（Tc）
10V
230 毫欧 @ 6.4A，10V
4.5V @ 530µA
31 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 100 V
-
33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。