单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
系列
-AlphaSGT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）12A（Tc）68.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 13A，10V44 毫欧 @ 12A，10V140 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 10 V21 nC @ 10 V53.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 50 V1125 pF @ 20 V2592 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-252-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
334,758
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60091
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
435,038
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75941
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 2A，10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
TO-252-2
DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Diodes Incorporated
23,140
现货
90,000
工厂
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.03597
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
68.8A（Tc）
6V，10V
8.8 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
53.7 nC @ 10 V
±20V
2592 pF @ 50 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。