单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）6A（Ta）8.7A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 10.5A，10V15 毫欧 @ 10A，10V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.06V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V55 nC @ 5 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V840 pF @ 10 V3000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）1.5W（Ta）1.7W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
290,582
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
767,489
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
29,402
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.76493
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
SI4401BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Vishay Siliconix
11,574
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.62068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.7A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 10.5A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。