单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Ta），100A（Tc）28A（Ta），150A（Tc）40A（Tc）41A（Ta），235A（Tc）120A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 50A，10V2.4 毫欧 @ 50A，10V2.7 毫欧 @ 90A，10V2.8 毫欧 @ 50A，10V3 毫欧 @ 27A，10V22 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 135µA2.5V @ 1mA2.8V @ 50µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 135µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V37 nC @ 10 V41 nC @ 10 V51 nC @ 10 V52 nC @ 10 V65 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1870 pF @ 20 V2630 pF @ 30 V2700 pF @ 30 V3520 pF @ 30 V3600 pF @ 25 V4300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），62.5W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）3.7W（Ta），110W（Tc）3.8W（Ta），128W（Tc）104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-HSOPPG-TDSON-8-7TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
78,681
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.63891
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C426NT1G
MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
onsemi
2,086
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.31811
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41A（Ta），235A（Tc）
10V
1.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,032
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.66072
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C628NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
onsemi
1,146
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
1,500 : ¥11.63937
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
28A（Ta），150A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 135µA
52 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
HSOP8
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
2,127
现货
1 : ¥28.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.25884
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
120A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 90A，10V
2.5V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
3520 pF @ 30 V
-
104W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C628NLT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
onsemi
1,404
现货
1 : ¥23.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥11.04914
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 135µA
52 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C628NT1G
MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
onsemi
84
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.37081
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
28A（Ta），150A（Tc）
10V
3 毫欧 @ 27A，10V
4V @ 135µA
34 nC @ 10 V
±20V
2630 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。