单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
470mA（Ta）40A（Tc）176A（Tc）261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V2 毫欧 @ 100A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.3V @ 20µA3.3V @ 120µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 5 V13 nC @ 4.5 V104 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.9 pF @ 12 V840 pF @ 50 V1800 pF @ 30 V8125 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
390mW（Ta）3W（Ta），188W（Tc）46W（Tc）313W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-3PG-TSDSON-8-FLPG-WSON-8-2SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Diodes Incorporated
44,902
现货
114,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08468
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
470mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74 nC @ 5 V
±12V
12.9 pF @ 12 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Infineon Technologies
5,368
现货
1 : ¥28.41000
剪切带（CT）
4,000 : ¥13.83707
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
261A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥60.01000
剪切带（CT）
1,000 : ¥34.05008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
176A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 100A，10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TSDSON-8
BSZ065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.38078
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。