单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-AlphaSGT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）13.5A（Ta）287A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 50A，10V8.5 毫欧 @ 13.5A，10V12.8 毫欧 @ 11A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V52 nC @ 4.5 V115 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 50 V6300 pF @ 30 V8900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）3.1W（Ta）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-SOIC8-SOP
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
AOSP66920
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
37,634
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
3,000
现货
1 : ¥44.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥23.20145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
287A（Tc）
4.5V，10V
1.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
8-SOIC
RS3L110ATTB1
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
2,239
现货
1 : ¥26.44000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.84465
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta）
4.5V，10V
12.8 毫欧 @ 11A， 10V
2.5V @ 1mA
115 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 30 V
-
1.4W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。