单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
PowerTrench®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
80 V150 V220 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta），7A（Tc）4.1A（Ta）8.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 8.9A，10V66 毫欧 @ 4.1A，10V366 毫欧 @ 1A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V25 nC @ 10 V41 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1180 pF @ 100 V1290 pF @ 25 V1990 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），42W（Tc）2.5W（Ta）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-SOIC
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS2582
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
5,649
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32914
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
66 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
FDS3572
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
onsemi
4,114
现货
7,500
工厂
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.91535
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
8.9A（Ta）
6V，10V
16 毫欧 @ 8.9A，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1990 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-MLP, Power33
FDMC2674
MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
220 V
1A（Ta），7A（Tc）
10V
366 毫欧 @ 1A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 100 V
-
2.1W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。