单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）20A（Ta）27A（Ta），80A（Tc）35A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 27A，10V7.3 毫欧 @ 10A，10V11 毫欧 @ 20A，10V11.7 毫欧 @ 15A，10V3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.9V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.5 nC @ 10 V22.2 nC @ 10 V80 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 10 V1300 pF @ 40 V1590 pF @ 15 V4370 pF @ 20 V5795 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.3W（Ta），54W（Tc）3.2W（Ta），37W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）PG-TSDSON-8-FLPower33PowerPAK® 1212-8VMT3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
46,275
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.56261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
11 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 22µA
18.5 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
49,720
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20649
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Tc）
4.5V，10V
11.7 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Power33
FDMC8360L
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
onsemi
2,536
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.61610
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
2.1 毫欧 @ 27A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5795 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
236,030
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.32297
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
8-VSONP
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4,206
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
250 : ¥6.82992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。