单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm Semiconductor
系列
-CoolSiC™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）15A（Ta）24A（Ta）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V4V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 15A，10V45 毫欧 @ 10A，5V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V63 毫欧 @ 16A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA2V @ 250µA3V @ 1mA5.7V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 2.5 V18 nC @ 10 V32 nC @ 5 V46 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±8V±15V+18V，-15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
529 pF @ 10 V930 pF @ 10 V1140 pF @ 25 V1527 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.36W（Ta），62.5W（Tj）20W（Tc）227W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-SOT23PG-TO263-7-12TO-252
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-3P-3,TO-247-3
NTD24N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
onsemi
16,040
现货
1 : ¥12.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.73468
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
24A（Ta）
5V
45 毫欧 @ 10A，5V
2V @ 250µA
32 nC @ 5 V
±15V
1140 pF @ 25 V
-
1.36W（Ta），62.5W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
64,061
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,007
现货
1 : ¥124.62000
剪切带（CT）
1,000 : ¥78.95229
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
47A（Tc）
-
63 毫欧 @ 16A，18V
5.7V @ 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V，-15V
1527 pF @ 800 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
RB098BM-40FNSTL
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Rohm Semiconductor
24,538
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.04070
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta）
4V，10V
40 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。