单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesWolfspeed, Inc.
系列
C3M™CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
61A（Tc）75A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 58.3A，10V28，8 毫欧 @ 50A，15V45 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3，6V @ 17，7mA4V @ 1.08mA4V @ 2.92mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
90 nC @ 10 V162 nC @ 15 V215 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3891 pF @ 400 V4818 pF @ 1000 V9900 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
201W（Tc）446W（Tc）469W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-41TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
2,054
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
61A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 22.5A，10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
137
现货
1 : ¥169.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
75A（Tc）
10V
19 毫欧 @ 58.3A，10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
15V
28，8 毫欧 @ 50A，15V
3，6V @ 17，7mA
162 nC @ 15 V
+15V，-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。