单 FET，MOSFET

结果 : 18
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS®-P2OptiMOS™TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVU-MOSIX-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）220mA（Ta）2.3A（Ta）6A（Ta）35.1A（Ta），127.5A（Tc）36A（Tc）47A（Ta），85A（Tc）47.9A（Ta），195A（Tc）60A（Tc）70A（Tc）76A（Tc）80A（Tc）89A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 10A，10V1.6 毫欧 @ 25A，10V1.6 毫欧 @ 40A，10V1.7 毫欧 @ 20A，10V1.9 毫欧 @ 25A，10V1.95 毫欧 @ 25A，10V2.1 毫欧 @ 20A，10V2.7 毫欧 @ 15A，10V3.4 毫欧 @ 100A，10V4 毫欧 @ 15A，4.5V4.2 毫欧 @ 70A，10V4.7 毫欧 @ 18A，4.5V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1.15V @ 250µA1.2V @ 1mA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 270µA2.1V @ 300µA2.2V @ 340µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V9.7 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V41 nC @ 10 V65 nC @ 5 V125 nC @ 10 V175 nC @ 10 V234 nC @ 10 V236 nC @ 8 V260 nC @ 10 V330 nC @ 10 V400 nC @ 10 V585 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±8V±10V±12V+16V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 25 V470 pF @ 20 V840 pF @ 10 V1790 pF @ 10 V3900 pF @ 15 V4300 pF @ 10 V4670 pF @ 10 V7080 pF @ 10 V10290 pF @ 10 V10955 pF @ 15 V12400 pF @ 15 V12826 pF @ 10 V14300 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）370mW（Ta）750mW（Ta）1W（Ta）2.2W（Ta）2.3W（Ta）2.8W（Ta），69W（Tc）5W（Ta），65.8W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）6.35W（Ta），104W（Tc）7.3W（Ta），156W（Tc）42W（Tc）104W（Tc）136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-TSON Advance（3.1x3.1）8-VSONP（3x3.3）PG-TO220-3-1PG-TO252-3PowerDI3333-8PowerDI5060-8（K 类）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23F
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SOT-23-3 扁平引线TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
389,735
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
127,587
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
768,922
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
127,236
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.24503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.3A（Ta）
4.5V，10V
82 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
50,698
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-DFN
AON6411
MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
98,795
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.98746
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
47A（Ta），85A（Tc）
2.5V，10V
2.1 毫欧 @ 20A，10V
1.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±12V
10290 pF @ 10 V
-
7.3W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
43,946
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.75528
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 40A，10V
2.1V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 15 V
-
104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
20,858
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.64341
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 70A，10V
2V @ 270µA
175 nC @ 10 V
±20V
12400 pF @ 15 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,013
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.18846
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.95 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
20000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,992
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.27116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Vishay Siliconix
6,408
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.75448
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
47.9A（Ta），195A（Tc）
4.5V，10V
1.7 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
+16V，-20V
10955 pF @ 15 V
-
6.35W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerDI3333-8
DMP2005UFG-13
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Diodes Incorporated
3,321
现货
1,101,000
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.55900
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
89A（Tc）
1.8V，4.5V
4 毫欧 @ 15A，4.5V
900mV @ 250µA
125 nC @ 10 V
±10V
4670 pF @ 10 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8S
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Vishay Siliconix
39,765
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
35.1A（Ta），127.5A（Tc）
2.5V，10V
2.7 毫欧 @ 15A，10V
1.5V @ 250µA
236 nC @ 8 V
±12V
7080 pF @ 10 V
-
5W（Ta），65.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
5,901
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.37342
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
36A（Tc）
2.5V，4.5V
4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
1.2V @ 1mA
65 nC @ 5 V
±12V
4300 pF @ 10 V
-
42W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,442
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04802
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerDI5060-8
DMP2002UPS-13
MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
16,292
现货
40,000
工厂
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.99875
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
12826 pF @ 10 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8（K 类）
8-PowerTDFN
PG-TO220-3
IPP120P04P4L03AKSA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Infineon Technologies
330
现货
1 : ¥30.29000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 100A，10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
+5V，-16V
15000 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PowerPAK_8X8L_Top
SQJQ131EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,085
现货
1 : ¥35.55000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.79630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
280A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
731 nC @ 10 V
±20V
33050 pF @ 15 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
显示
/ 18

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。