单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Ta），30A（Tc）16A（Ta），45A（Tc）70A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 70A，10V5.5 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 270µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V42 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 15 V2000 pF @ 15 V12400 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）3.1W（Ta），25W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PG-TO252-3POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
20,762
现货
1 : ¥14.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.64341
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 70A，10V
2V @ 270µA
175 nC @ 10 V
±20V
12400 pF @ 15 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerDI3333-8
DMN3009SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Diodes Incorporated
930
现货
14,000
工厂
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.24415
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Ta），45A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-DFN
AON7466
MOSFET N-CH 30V 15A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.09121
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
1150 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），25W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3009SFG-13
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
6,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥2.34803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Ta），45A（Tc）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。