单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA(Ta)12A(Tc)18A(Ta)18.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.4mOhm @ 18A,10V13.5 毫欧 @ 7A,4.5V17 毫欧 @ 11A,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 10µA2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 4.5 V80 nC @ 8 V160 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V660 pF @ 25 V2880 pF @ 6 V7200 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)1.4W(Ta)11.5W(Tc)19W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
6-PQFN(2x2)(DFN2020)8-SOPPowerPAK® SC-70-6SOT-323
封装/外壳
6-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SC-70-6SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
40,313
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.94808
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
18.5A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 11A,10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
8-SOIC
RS3E180ATTB1
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Rohm Semiconductor
4,259
现货
1 : ¥21.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.77101
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta)
4.5V,10V
5.4mOhm @ 18A,10V
2.5V @ 5mA
160 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPak SC-70-6 Single
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
81,506
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08063
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
12A(Tc)
1.5V,4.5V
13.5 毫欧 @ 7A,4.5V
850mV @ 250µA
80 nC @ 8 V
±8V
2880 pF @ 6 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
32,829
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66587
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。