单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）17.6A（Ta），71.9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.2毫欧 @ 10A，10V220 毫欧 @ 900mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4.5 V105 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
109 pF @ 10 V4850 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
32,297
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK_SO-8_Single
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.16335
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
17.6A（Ta），71.9A（Tc）
-
11.2毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4850 pF @ 40 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。