单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）17.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5.8A，10V224毫欧 @ 12A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4，3V @ 2，5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 10 V34 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
386 pF @ 15 V665 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）111W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-247-4L
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
onsemi
450
现货
1 : ¥69.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
17.3A（Tc）
20V
224毫欧 @ 12A，20V
4，3V @ 2，5mA
34 nC @ 20 V
+25V，-15V
665 pF @ 800 V
-
111W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
现货
4,293,000
工厂
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60064
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。