单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
265mA（Ta）2A（Ta）13A（Ta），50A（Tc）15A（Ta），50A（Tc）19A（Ta），100A（Tc）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V4.6 毫欧 @ 22A，10V6.6 毫欧 @ 17A，10V9.8 毫欧 @ 14A，10V85 毫欧 @ 3.2A，10V14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA2V @ 1mA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.45 nC @ 10 V12.3 nC @ 10 V19 nC @ 10 V22 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
73 pF @ 25 V606 pF @ 20 V1656 pF @ 20 V1770 pF @ 30 V3840 pF @ 30 V4420 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）2W（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）3.1W（Ta），156W（Tc）3.1W（Ta），77W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（5x6）SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
61,621
现货
681,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP4525GTA
MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Diodes Incorporated
10,791
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.36607
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
265mA（Ta）
3.5V，10V
14 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
55,159
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27354
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18534Q5A
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Texas Instruments
29,094
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.8 毫欧 @ 14A，10V
2.3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
10,516
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 17A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18531Q5A
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Texas Instruments
7,917
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.04611
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 22A，10V
2.3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。