单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-OptiMOS™StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V40 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）3.9A（Tc）203A（Tc）381A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.7 毫欧 @ 50A，10V2.7 毫欧 @ 100A，10V65 毫欧 @ 3.2A，4.5V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.3V @ 250µA4.6V @ 265µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V94 nC @ 4.5 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V587 pF @ 10 V8400 pF @ 20 V12000 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）1.5W（Tc）3.8W（Ta），556W（Tc）188W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PG-TO247-3SOT-23SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
94,629
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2302CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
51,177
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23284
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Tc）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 3.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
587 pF @ 10 V
-
1.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
7,874
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.40444
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
381A（Tc）
4.5V，10V
0.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
94 nC @ 4.5 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
188W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
IRF150P220AKMA1
IRF150P220AKMA1
MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Infineon Technologies
1,455
现货
1 : ¥91.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
203A（Tc）
10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
4.6V @ 265µA
200 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），556W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。