单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-QFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Tc）2.5A（Ta）5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V300 毫欧 @ 2.5A，10V350 毫欧 @ 850mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 5 V12.8 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 25 V601 pF @ 30 V840 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2W（Tc）3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223-4UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
77,767
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.05261
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
1,517
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06661
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
onsemi
12,048
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.21903
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.7A（Tc）
5V，10V
350 毫欧 @ 850mA，10V
2V @ 250µA
6 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。