单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）18A（Ta），63A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 30A，10V26.5 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 15 V1020 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），30W（Tc）15.6W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
172,207
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79019
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
8-Power TDFN
BSC0906NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Infineon Technologies
10,900
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.78657
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta），63A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。