单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）540mA（Ta）1.5A（Ta）2.8A（Ta）2.9A（Ta）3.1A（Ta）3.5A（Ta）4.8A（Ta）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 5A，4.5V46 毫欧 @ 3.6A，4.5V50 毫欧 @ 5A，10V56 毫欧 @ 2A，4.5V77 毫欧 @ 4.2A，10V140 毫欧 @ 1.5A，4.5V550 毫欧 @ 540mA，4.5V2 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 3.7µA1.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 5 V3.6 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 4.5 V5.4 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
32 pF @ 30 V143 pF @ 10 V150 pF @ 16 V369 pF @ 10 V400 pF @ 10 V864 pF @ 15 V900 pF @ 10 V1293 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）320mW（Ta）430mW（Ta）470mW（Ta）500mW（Ta）520mW（Ta）700mW（Ta）1.1W（Ta）1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-SOT323POWERDI3333-8SOT-23-3SOT-323TSMT6（SC-95）
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
292,169
现货
5,871,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
185,777
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65569
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.5A（Ta）
2.5V，4.5V
140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN62D0UW-7
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Diodes Incorporated
39,591
现货
252,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
1.8V，4.5V
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN2065UW-7
MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
Diodes Incorporated
11,898
现货
276,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66535
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.5V，4.5V
56 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP3130LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Diodes Incorporated
42,062
现货
363,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99221
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
2.5V，10V
77 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±12V
864 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6C050UNTR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Rohm Semiconductor
40,886
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5A（Ta）
1.5V，4.5V
30 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
12 nC @ 4.5 V
±10V
900 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerDI3333-8
DMP6050SFG-13
MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
31,616
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.92613
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.8A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
SOT-323
DMN2053UW-7
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Diodes Incorporated
76,304
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46358
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.9A（Ta）
1.5V，4.5V
56 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
369 pF @ 10 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN2004WKQ-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
1,984
现货
9,273,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
DMN2055UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
600
现货
66,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58536
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Ta）
2.5V，4.5V
46 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
400 pF @ 10 V
-
520mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。