单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesWolfspeed, Inc.
系列
C3M™HEXFET®
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
200 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7 毫欧 @ 81A，10V208 毫欧 @ 8.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 2.33mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 15 V241 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
632 pF @ 1000 V10720 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
97W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-3TO-247AC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Infineon Technologies
11,621
现货
1 : ¥54.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
130A（Tc）
10V
9.7 毫欧 @ 81A，10V
5V @ 250µA
241 nC @ 10 V
±30V
10720 pF @ 50 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
C2D10120D
C3M0160120D
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,954
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
17A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 8.5A，15V
3.6V @ 2.33mA
38 nC @ 15 V
+15V，-4V
632 pF @ 1000 V
-
97W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。