单 FET，MOSFET

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-OptiMOS™SIPMOS®STripFET™ IISuperMESH3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V200 V240 V250 V400 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60mA（Ta）110mA（Ta）180mA（Ta）190mA（Ta）200mA（Ta）350mA（Ta）360mA（Ta）500mA（Ta）600mA（Tc）620mA（Ta）1A（Tc）1.2A（Ta）1.8A（Tc）2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.8V，10V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 5A，10V600 毫欧 @ 1.2A，10V800 毫欧 @ 620mA，10V1.5 欧姆 @ 500mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V1.8 欧姆 @ 360mA，10V3.4 欧姆 @ 600mA，10V6 欧姆 @ 350mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V12 欧姆 @ 190mA，10V14 欧姆 @ 100mA，10V21 欧姆 @ 300mA，10V25 欧姆 @ 100mA，10V25 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 170µA1.4V @ 108µA1.5V @ 250µA1.8V @ 100µA1.8V @ 56µA2V @ 130µA2V @ 160µA2V @ 1mA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1mA4.5V @ 50µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V3.1 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.1 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.6 pF @ 25 V45 pF @ 25 V46 pF @ 25 V77 pF @ 25 V95 pF @ 25 V100 pF @ 25 V104 pF @ 25 V150 pF @ 25 V152.7 pF @ 25 V165 pF @ 25 V165 pF @ 50 V176 pF @ 25 V1003 pF @ 25 V1167 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）330mW（Ta）360mW（Ta）370mW（Ta）500mW（Ta）500mW（Tc）1W（Ta）1.2W（Ta）1.8W（Ta）2W（Ta）3.3W（Ta）3.3W（Tc）12.5W（Tc）
供应商器件封装
PG-SC59-3PG-SOT223-4PG-SOT23PG-SOT89SOT-223SOT-223-3SOT-23-3TSOT-26
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AATO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果
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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN53D0LQ-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
166,931
现货
3,522,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
46 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41,529
现货
7,191,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18435
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
60mA（Ta）
10V
25 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
STN3N40K3
STN3N40K3
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STMicroelectronics
43,272
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.41707
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
1.8A（Tc）
10V
3.4 欧姆 @ 600mA，10V
4.5V @ 50µA
11 nC @ 10 V
±30V
165 pF @ 50 V
-
3.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-23-3
DMP510DL-7
MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
49,800
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34402
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±30V
24.6 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
27,824
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68275
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
110mA（Ta）
4.5V，10V
14 欧姆 @ 100mA，10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Infineon Technologies
3,466
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.41507
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
360mA（Ta）
4.5V，10V
1.8 欧姆 @ 360mA，10V
1V @ 170µA
7 nC @ 10 V
±20V
165 pF @ 25 V
-
500mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSR315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Infineon Technologies
30,637
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.44197
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
620mA（Ta）
4.5V，10V
800 毫欧 @ 620mA，10V
2V @ 160µA
6 nC @ 10 V
±20V
176 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-89 Pkg
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
1,296
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.30224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
190mA（Ta）
2.8V，10V
12 欧姆 @ 190mA，10V
2V @ 130µA
6.1 nC @ 10 V
±20V
104 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
SOT-223
STN4NF20L
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
STMicroelectronics
5,132
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.78658
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1A（Tc）
5V，10V
1.5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
DMP45H21DHE-13
MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223
Diodes Incorporated
4,919
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.80803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
600mA（Tc）
10V
21 欧姆 @ 300mA，10V
5V @ 250µA
4.2 nC @ 10 V
±30V
1003 pF @ 25 V
-
12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Infineon Technologies
23,344
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.95098
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
350mA（Ta）
2.8V，10V
6 欧姆 @ 350mA，10V
1.4V @ 108µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
95 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
BSP296NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Infineon Technologies
14,264
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.90555
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
600 毫欧 @ 1.2A，10V
1.8V @ 100µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
152.7 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
TSOT-26
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Diodes Incorporated
537
现货
411,000
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40081
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-223-3
ZVP2120GTA
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Diodes Incorporated
529
现货
30,000
工厂
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.43298
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
200mA（Ta）
10V
25 欧姆 @ 150mA，10V
3.5V @ 1mA
-
-
100 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 14

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。