单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
ELHEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V150 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Ta）8A（Tc）13A（Tc）40A（Tc）46A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V4 毫欧 @ 20A，10V9.9 毫欧 @ 20A，10V70 毫欧 @ 4.6A，10V90 毫欧 @ 10A，10V180 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 14µA2.3V @ 36µA3V @ 250µA3.8V @ 270µA4V @ 20µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V6.6 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V40 nC @ 10 V86 nC @ 10 V210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 75 V870 pF @ 10 V1300 pF @ 30 V1920 pF @ 100 V3100 pF @ 30 V15600 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）35W（Tc）36W（Tc）38W（Tc）69W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPG-TO263-3PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLTO-220 整包
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3 整包TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
14,446
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.42345
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.6A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 4.6A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TSDSON-8
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
19,524
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.97945
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
46A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Infineon Technologies
11,831
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.33120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
13A（Tc）
8V，10V
90 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 20µA
7 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 75 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
73,517
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.73136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
607
现货
1 : ¥51.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥29.20983
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 270µA
210 nC @ 10 V
±20V
15600 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
890
现货
1 : ¥21.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
8A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±30V
1920 pF @ 100 V
-
35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。