单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）19A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
64 毫欧 @ 13A，10V180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 14µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V13 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 5 V354 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）47W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3-11SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
onsemi
23,329
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77990
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
4.5V，10V
180 毫欧 @ 1.5A，10V
2.3V @ 250µA
2.5 nC @ 5 V
±20V
165 pF @ 5 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Infineon Technologies
4,168
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.87067
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
19A（Tc）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 13A，10V
2V @ 14µA
13 nC @ 10 V
±20V
354 pF @ 25 V
-
47W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。