单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）16A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 15A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 4.5 V44 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V1360 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta），42W（Tc）3W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DIRECTFET™ STTO-263（D2PAK）
封装/外壳
DirectFET™ 等容 STTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
2,842
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
800 : ¥10.60050
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF6614TR1PBF
IRF6623TRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
8,615
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
4,800 : ¥7.50479
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
16A（Ta），55A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta），42W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。