单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Micro Commercial Co
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta）15A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 14A，10V110 毫欧 @ 8A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 50 V1920 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）50W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICDPAK
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
10,171
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.18594
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
MBRD6100CT-TP
MCU15N10A-TP
MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Micro Commercial Co
668
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.77240
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 8A，10V
3V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 50 V
-
50W
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。