单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ C7CoolMOS™ G7EMDmesh™ VOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
200 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Ta），22.5A（Tc）15A（Tc）29A（Tc）32A（Tc）52A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 52A，10V69 毫欧 @ 20A，10V80 毫欧 @ 17A，10V80 毫欧 @ 9.7A，10V130 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 137µA4V @ 440µA4V @ 490µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V42 nC @ 10 V43 nC @ 10 V63 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1640 pF @ 400 V1670 pF @ 400 V2557 pF @ 100 V3680 pF @ 100 V4200 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），189W（Tc）102W（Tc）167W（Tc）184W（Tc）214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TSON-8-3PG-VSON-4PowerFlat™（8x8）HVPowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
11,139
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.77012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
PowerPAK 8 x 8
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Vishay Siliconix
3,107
现货
1 : ¥40.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.69237
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
32A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 17A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2557 pF @ 100 V
-
184W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
PG-HSOF-8-2
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Infineon Technologies
5,618
现货
1 : ¥36.62000
剪切带（CT）
2,000 : ¥24.33592
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
29A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 9.7A，10V
4V @ 490µA
42 nC @ 10 V
±20V
1640 pF @ 400 V
-
167W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
PG-VSON-4
IPL65R130C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Infineon Technologies
3,000
现货
1 : ¥35.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.41756
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
15A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 440µA
35 nC @ 10 V
±20V
1670 pF @ 400 V
-
102W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
8 Power VDFN
STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
STMicroelectronics
5,553
现货
1 : ¥92.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥49.11384
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
4.3A（Ta），22.5A（Tc）
10V
69 毫欧 @ 20A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
4200 pF @ 100 V
-
2.8W（Ta），189W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（8x8）HV
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。