单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-FDmesh™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 4.5 V24.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
353 pF @ 10 V845 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
810mW（Ta）25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-F
STF13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
662
现货
1 : ¥24.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
5V @ 250µA
24.5 nC @ 10 V
±25V
845 pF @ 50 V
-
25W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
SOT-23-3
DMN3066LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,789
现货
162,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63049
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
2.5V，4.5V
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
353 pF @ 10 V
-
810mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。