单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530mA（Ta）11A（Ta）12A（Ta）50A（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 12A，10V9.8 毫欧 @ 14A，10V17 毫欧 @ 11A，10V55 毫欧 @ 25A，10V1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA4.5V @ 250µA4.9V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.1 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V34 nC @ 10 V39 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510 pF @ 25 V1180 pF @ 15 V1560 pF @ 25 V1770 pF @ 30 V4350 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）2.5W（Ta）3.1W（Ta）3.1W（Ta），77W（Tc）300W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-VSONP（5x6）SOT-23-3（TO-236）TO-247（IXTH）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Vishay Siliconix
21,928
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
530mA（Ta）
6V，10V
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
4.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
23,178
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34537
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-Power TDFN
CSD18534Q5AT
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
Texas Instruments
3,050
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
250 : ¥8.55460
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
4.5V，10V
9.8 毫欧 @ 14A，10V
2.3V @ 250µA
11.1 nC @ 4.5 V
±20V
1770 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Infineon Technologies
13,870
现货
1 : ¥14.37000
剪切带（CT）
4,000 : ¥6.46805
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta）
10V
9.4 毫欧 @ 12A，10V
4.9V @ 100µA
39 nC @ 10 V
±20V
1560 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO247
Littelfuse Inc.
1,324
现货
1 : ¥92.52000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 25A，10V
5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4350 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。