单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Ta）70A（Tc）80A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 40A，10V8 毫欧 @ 20A，10V13.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V124 nC @ 10 V158 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2830 pF @ 15 V6290 pF @ 10 V7770 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
78W（Tc）90W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAK+TO-252（DPAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,368
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,007
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.10252
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Ta）
6V，10V
5.2 毫欧 @ 40A，10V
3V @ 1mA
158 nC @ 10 V
+10V，-20V
7770 pF @ 10 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,386
现货
1 : ¥16.09000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.66284
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Ta）
6V，10V
13.8 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 1mA
124 nC @ 10 V
+10V，-20V
6290 pF @ 10 V
-
90W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。