单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
-QFET®UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A（Tc）21A（Ta），78A（Tc）33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 35A，10V94 毫欧 @ 16.5A，10V470 毫欧 @ 5.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V40 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V2135 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），120W（Tc）3.6W（Ta），50W（Tc）235W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
1,506
现货
141,000
工厂
1 : ¥14.37000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.80729
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-263
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥22.91000
剪切带（CT）
800 : ¥9.00390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11.5A（Tc）
10V
470 毫欧 @ 5.75A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），120W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥25.04000
剪切带（CT）
800 : ¥10.18868
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
33A（Tc）
10V
94 毫欧 @ 16.5A，10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。