单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A（Ta）24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 12A，10V105 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.2 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
969 pF @ 30 V1180 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）4.1W（Ta），24W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）TSOT-23-6
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
248,988
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16082
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
AP6320x
DMP6110SVTQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Diodes Incorporated
5,355
现货
627,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.10719
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.3A（Ta）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。