单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）2A（Ta）12A（Tc）19A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 20A，10V26 毫欧 @ 9A，10V85 毫欧 @ 3.2A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V12.3 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33 pF @ 5 V606 pF @ 20 V700 pF @ 20 V1800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）800mW（Ta）2.1W（Ta），52W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SC-70-6SC-70-3（SOT323）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
62,231
现货
411,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
36,800
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27197
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
2.5V，10V
26 毫欧 @ 9A，10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
TSDSON-8
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
33,195
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.50549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
35,184
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。