单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）2.9A（Ta）3A（Ta）3.1A（Ta）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
47 毫欧 @ 4.4A，10V80 毫欧 @ 4A，10V85 毫欧 @ 3A，10V88 毫欧 @ 3.1A，10V3.6 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V6 nC @ 4.5 V15.8 nC @ 10 V35 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V380 pF @ 10 V505 pF @ 20 V833 pF @ 20 V890 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）700mW（Ta）1.1W（Ta）1.25W（Ta）19W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6SOT-23SOT-26TSMT3USM
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323SC-96SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
44,054
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
63,557
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32440
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
89,759
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74805
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.1A（Ta）
4.5V，10V
88 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
505 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,579
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03234
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4V，10V
85 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±20V
380 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
DT2042-04SOQ-7
ZXMP4A57E6QTA
MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Diodes Incorporated
15,000
现货
69,000
工厂
3,000 : ¥2.19095
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.9A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
15.8 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。