单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHEXFET®PowerTrench®STripFET™ H6SuperMESH™TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V50 V60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)260mA(Ta)900mA(Ta)1.8A(Ta)2A(Ta)2.4A(Ta)2.4A(Tc)3.1A(Ta)3.6A(Ta)3.8A(Ta)4.3A(Ta)4.4A(Tc)5A(Ta)6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V4V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 10.2A,10V24 毫欧 @ 5A,4.5V25 毫欧 @ 3A,10V26 毫欧 @ 5A,10V30 毫欧 @ 3A,10V45 毫欧 @ 4.3A,10V50 毫欧 @ 6A,10V53 毫欧 @ 4A,10V61 毫欧 @ 3.2A,4.5V64 毫欧 @ 3.6A,10V65 毫欧 @ 3.8A,10V80 毫欧 @ 2A,10V85 毫欧 @ 1.6A,4.5V120 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 10µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.81 nC @ 5 V2.4 nC @ 10 V3.4 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 5 V4.8 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V9 nC @ 10 V11.8 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V17.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-20V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V40 pF @ 25 V156 pF @ 6 V283 pF @ 24 V298 pF @ 15 V311 pF @ 25 V330 pF @ 10 V370 pF @ 10 V388 pF @ 25 V448 pF @ 15 V540 pF @ 15 V563 pF @ 25 V642 pF @ 25 V675 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)350mW(Ta)420mW(Ta)470mW(Ta)500mW(Ta)700mW(Ta)750mW(Ta)760mW(Ta)840mW(Ta)1W(Ta)1.08W(Ta)1.25W(Ta)1.25W(Ta),1.8W(Tc)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICDPAKMicro3™/SOT-23PowerFlat™(2x2)PowerFlat™(3.3x3.3)SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-23FTSMT3
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式6-PowerWDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-96SOT-23-3 扁平引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
100,060
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
119,555
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48928
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
90,181
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 6A,10V
2.1V @ 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
51,778
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71688
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
675 pF @ 10 V
-
420mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
244,104
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V,-20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,871
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16191
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Tc)
1.5V,4.5V
61 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
21 nC @ 8 V
±8V
-
-
1.25W(Ta),1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN360P
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
onsemi
74,201
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13027
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
298 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Vishay Siliconix
11,482
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.59952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
16.1A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10.2A,10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
3007 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),6.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,257
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84036
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA(最小)
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
2.9W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
SOT-23-3
DMP3099L-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
19,393
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40550
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
89,925
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.6A(Ta)
4.5V,10V
64 毫欧 @ 3.6A,10V
2.4V @ 10µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
388 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301LK-7
MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
70,146
现货
174,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75610
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.4A(Ta)
1.8V,4.5V
160 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
3.4 nC @ 10 V
±12V
156 pF @ 6 V
-
840mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR3C21NZT1G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
onsemi
10,592
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15457
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.6A(Ta)
1.8V,4.5V
24 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
17.8 nC @ 4.5 V
±8V
1540 pF @ 16 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AOSS21311C
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
6,682
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80150
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.3A,10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,843
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98508
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
4.5V,10V
53 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSMT3
RQ5E050ATTCL
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Rohm Semiconductor
13,559
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.55986
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5A(Ta)
4.5V,10V
26 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 1mA
19.4 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 15 V
-
760mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
6-WDFN Exposed Pad
STL6N3LLH6
MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
STMicroelectronics
2,249
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.34311
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA(最小)
3.6 nC @ 4.5 V
±20V
283 pF @ 24 V
-
2.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(2x2)
6-PowerWDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
STMicroelectronics
6,594
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.29084
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.4A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSMT3
RQ5E020SPTL
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,470
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.55327
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4V,10V
120 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 1mA
4.3 nC @ 5 V
±20V
370 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT3
SC-96
5,037
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02776
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 900mA,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
448 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 21

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。