单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）13A（Ta），30A（Tc）14A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V3V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 20A，10V10.3 毫欧 @ 10A，8V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V5.1 nC @ 4.5 V41.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V700 pF @ 15 V2090 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）2.2W（Ta），41W（Tc）2.7W（Ta）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）POWERDI3333-8SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
90,212
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
29,329
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
3V，8V
10.3 毫欧 @ 10A，8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMT6010LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
3,816
现货
60,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.63695
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
41.3 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。