单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®U-MOSIX-HU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）600mA（Ta）3.8A（Ta）24A（Ta），162A（Tc）36A（Ta），254A（Tc）38A（Ta），273A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.34mOhm @ 50A，10V1.35 毫欧 @ 36A，10V1.4 毫欧 @ 90A，10V2.95 毫欧 @ 24A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V1 欧姆 @ 600mA，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 490µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V91 nC @ 10 V111 nC @ 10 V125 nC @ 10 V273 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V141 pF @ 50 V563 pF @ 25 V7835 pF @ 50 V8100 pF @ 30 V8220 pF @ 40 V20720 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）625mW（Ta）960mW（Ta），170W（Tc）1.08W（Ta）3.2W（Ta），156W（Tc）5W（Ta），258W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-DFNW（8.3x8.4）8-Dual Cool™888-SOP Advance（5x5）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
79,359
现货
597,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
600mA（Ta）
6V，10V
1 欧姆 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
13,138
现货
1 : ¥22.58000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.88597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
1.34mOhm @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
8-PQFN
FDMT800100DC
MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
onsemi
4,663
现货
1 : ¥66.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥35.30999
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
24A（Ta），162A（Tc）
6V，10V
2.95 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
±20V
7835 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
463,279
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
19,388
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40550
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PQFN
FDMT80080DC
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
onsemi
9,439
现货
1 : ¥40.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.92769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
36A（Ta），254A（Tc）
8V，10V
1.35 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 250µA
273 nC @ 10 V
±20V
20720 pF @ 40 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
8-TDFN
NVMTS1D5N08H
MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
onsemi
1,203
现货
1 : ¥44.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥21.54392
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
38A（Ta），273A（Tc）
10V
1.4 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 490µA
125 nC @ 10 V
±20V
8220 pF @ 40 V
-
5W（Ta），258W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。