单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®SIPMOS®STripFET™ F6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V55 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA（Ta）1.7A（Ta）2A（Ta）4.2A（Tc）8.8A（Tc）9.4A（Tc）10A（Tc）11A（Tc）15A（Tc）17A（Tc）22A（Tc）40A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.1 毫欧 @ 62A，10V15 毫欧 @ 9A，10V22 毫欧 @ 12A，10V65 毫欧 @ 10A，10V155 毫欧 @ 1A，10V160 毫欧 @ 5A，10V175 毫欧 @ 6.6A，10V200 毫欧 @ 11.3A，10V210 毫欧 @ 5.6A，10V228 毫欧 @ 2A，10V280 毫欧 @ 5.3A，10V850 毫欧 @ 3A，10V8 欧姆 @ 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1.54mA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 380µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 10 V2.8 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 10 V6.4 nC @ 10 V15 nC @ 5 V16 nC @ 10 V19 nC @ 10 V25 nC @ 10 V41 nC @ 10 V48 nC @ 10 V62 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
19.1 pF @ 25 V182 pF @ 25 V330 pF @ 25 V335 pF @ 75 V340 pF @ 48 V350 pF @ 25 V372 pF @ 25 V480 pF @ 25 V570 pF @ 25 V1490 pF @ 25 V1870 pF @ 20 V2783 pF @ 20 V5270 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）900mW（Ta）1W（Ta）2.5W（Ta），42W（Tc）2.5W（Ta），62.5W（Tc）12.5W（Tc）35W（Tc）38W（Tc）45W（Tc）48W（Tc）128W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPD2PAKDPAKPG-SOT323PG-TO252-3SOT-223-4SOT-23-3（TO-236）TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
117,816
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70799
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
33,228
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.63891
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
62,357
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.66330
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
17A（Tc）
4V，10V
65 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Infineon Technologies
24,112
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.26196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.4A（Tc）
10V
210 毫欧 @ 5.6A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
330 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4115TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Infineon Technologies
17,270
现货
1 : ¥31.77000
剪切带（CT）
800 : ¥19.19740
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
195A（Tc）
10V
12.1 毫欧 @ 62A，10V
5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5270 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-323
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
22,174
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50028
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
TO252-3
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
25,765
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.99034
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
11A（Tc）
10V
175 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
17,536
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.75547
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
22A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 9A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2783 pF @ 20 V
-
12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-223-4
FDT86246L
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
onsemi
13,368
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.05259
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta）
4.5V，10V
228 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 75 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD15P6F6AG
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
10,699
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.07861
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W（Tc）
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
4,344
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.97012
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Tc）
4.5V，10V
200 毫欧 @ 11.3A，10V
2V @ 1.54mA
62 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 25 V
-
128W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9024PBF
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Vishay Siliconix
3,837
现货
1 : ¥15.35000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.8A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 5.3A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
SPD04P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.72950
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.2A（Tc）
4.5V，10V
850 毫欧 @ 3A，10V
2V @ 380µA
16 nC @ 10 V
±20V
372 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。