单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologies
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）3.5A（Ta）7.7A（Ta）18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 11A，10V25 毫欧 @ 5A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.3V @ 10µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.4 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V400 pF @ 10 V660 pF @ 25 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）1W（Ta）1.4W（Ta）11.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-PQFN（2x2）（DFN2020）POWERDI3333-8SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式6-PowerVDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,535
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3419
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
287,532
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V
1.4V @ 250µA
4.4 nC @ 4.5 V
±12V
400 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
6-PowerVDFN
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Infineon Technologies
40,303
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.94808
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18.5A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 11A，10V
2.3V @ 10µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
660 pF @ 25 V
-
11.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-PQFN（2x2）（DFN2020）
6-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP6023LFGQ-13
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
2,113
现货
3,093,000
工厂
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.39847
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。