单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）14.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.7V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 9A，10V5.5 欧姆 @ 180mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 11µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.59 nC @ 10 V22.6 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
18 pF @ 30 V1320 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）800mW（Ta）
供应商器件封装
PG-SOT23-3-5U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-SOT23-3-5
ISS55EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Infineon Technologies
94,690
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47459
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
180mA（Ta）
4.5V，10V
5.5 欧姆 @ 180mA，10V
2V @ 11µA
0.59 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23-3-5
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMT3006LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Diodes Incorporated
23,878
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.37063
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14.1A（Ta）
3.7V，10V
7 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
22.6 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 15 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。