单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 9.7A，4.5V16 毫欧 @ 8.2A，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32 nC @ 5 V50 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 4 V2300 pF @ 4 V
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
17,152
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
12A（Tc）
1.2V，4.5V
16 毫欧 @ 8.2A，4.5V
800mV @ 250µA
50 nC @ 5 V
±5V
2300 pF @ 4 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
17,073
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.77081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
12A（Tc）
1.2V，4.5V
11 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
32 nC @ 5 V
±5V
1800 pF @ 4 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。