单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Ta）40A（Ta）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 40A，10V9.6 毫欧 @ 20A，10V11 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 500µA2.4V @ 300µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V47.5 nC @ 5 V64 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 10 V3600 pF @ 20 V4234 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
630mW（Ta），104W（Tc）840mW（Ta），100W（Tc）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）8-TSON Advance（3.1x3.1）PowerDI5060-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
26,447
现货
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.63502
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 40A，10V
2.4V @ 300µA
41 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 20 V
-
630mW（Ta），104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMP4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
18,503
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.55900
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
4,376
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.51787
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Ta）
4.5V，10V
9.6 毫欧 @ 20A，10V
2.1V @ 500µA
64 nC @ 10 V
+10V，-20V
3000 pF @ 10 V
-
840mW（Ta），100W（Tc）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。