单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Ta）12A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 12A，10V21 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.2 nC @ 10 V62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
697 pF @ 15 V3200 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）POWERDI3333-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-HSMT
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
11,253
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.30411
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMN3018SFG-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
14,335
现货
12,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.09420
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±25V
697 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。